收藏本站
Si4866DY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Q g , Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
12
R DS(on) ( Ω )
0.0055 at V GS = 4.5 V
0.008 at V GS = 2.5 V
I D (A)
17
14
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? PWM Optimized for High Efficiency
? Low Output Voltage
? 100 % R g Tested
APPLICATIONS
? Synchronous Rectifier
? Point-of-Load Synchronous Buck Converter
D
SO-8
S
1
8
D
S
S
G
2
3
4
7
6
5
D
D
D
G
Top View
Ordering Information: Si4866DY-T1-E3 (Lead Pb)-free)
Si4866DY-T1-GE3 (Lead Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
10 s
12
±8
Steady State
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
17
14
± 50
11
8
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
2.7
1.40
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
3.0
2.0
- 55 to 150
1.6
1.0
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET) a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
34
67
15
41
80
19
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71699
S09-0228-Rev. D, 09-Feb-09
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4884BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4886DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
SI4890BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
SI4890DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
SI4894BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
SI4904DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
SI4908DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC
SI4914BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4872DY 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4872DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4872DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4872DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4873DY-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
SI4874BDY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V MOSFET
SI4874BDY-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:
SI4874BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 16A 0.007Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube